Biểu thức chung cho độ dốc dưới ngưỡng phụ Độ dốc ngưỡng phụ là đặc điểmcủa đặc tính dòng điện-điện ápcủa MOSFET. Trong vùng dưới ngưỡng, hành vi dòng chảy - mặc dù được điều khiển bởi thiết bị đầu cuối cổng - tương tự như dòng điện giảm theo cấp số nhân của một diode phân cực thuận. https://en.wikipedia.org ›wiki› Subthreshold_slope
Độ dốc ngưỡng phụ - Wikipedia
(swing) làS=(d (log10Ids) / dVgs) -1. Hoặc từ biểu đồ trên, ở Vgs rất thấp, lấy đạo hàm của các giá trị nhật ký của Id đối với Vgs và sau đó đảo ngược giá trị được kết quả.
Đu quay dưới ngưỡng có nghĩa là gì?
Dao động ngưỡng phụ được định nghĩa là điện áp cổng yêu cầu.để thay đổi dòng xả theo một bậc lớn, một bậc .thập kỷ. Trong MOSFET, dao động dưới ngưỡng bị hạn chế. đến (kT / q) ln10 hoặc 60 mV / tháng mười hai ở nhiệt độ phòng và với.
Hệ số độ dốc dưới ngưỡng là gì?
Độ dốc ngưỡng phụ là một đặc điểm của đặc tính dòng điện-điện áp của a MOSFET. … Một tháng mười hai (thập kỷ) tương ứng với sự gia tăng 10 lần của dòng chảy ID. Một thiết bị được đặc trưng bởi độ dốc ngưỡng phụ dốc cho thấy sự chuyển đổi nhanh hơn giữa trạng thái tắt (dòng điện thấp) và trạng thái bật (dòng điện cao).
Tầm quan trọng của dao động dưới ngưỡng là gì?
Dao động ngưỡng phụ là thông số quan trọngtrongmô hình hóa chế độ nghịch đảo yếu, đặc biệt cho các ứng dụng tương tự có độ lợi cao, mạch hình ảnh và các ứng dụng điện áp thấp.
Dòng điện ngưỡng phụ thay đổi như thế nào với điện áp cổng?
Việc giảm đó có nghĩa là điện áp cổng ít hơn ngưỡng để tắt thiết bị và do độ dẫn dưới ngưỡng thay đổi theo cấp số nhân với điện áp cổng (xem MOSFET: Chế độ ngắt), nó ngày càng trở nên đáng kể khi MOSFET thu hẹp lại với kích thước.
